Los teléfonos inteligentes utilizarán un nuevo material de memoria
La vida de las baterías de los teléfonos inteligentes podría aumentar hasta un 20% al cambiar el tipo de memoria que utilizan. Según Samsung, los módulos fabricados con el nuevo material de memoria podrían llegar a sus líneas de producción a finales de 2010.
La compañía planea producir chips de memoria de cambio de fase (PCM) con el mismo formato que los diseños existentes, de forma que se puedan incorporar fácilmente a las líneas d eproducción.
La forma más adoptada de PCM suele estar hecha de una aleación de germanio, antimonio y titanio, dando lugar a un material parecido al vidrio. Al calentarlo mediante la aplicación de un voltaje, el material se convierte en dos formas independientes que presentan resistencias muy diferentes a la electricidad.
Como resultado, el material se puede utilizar para representar los ceros y unos binarios que utilizan los ordenadores.
En el foro de tecnología móvil celebrado en Taipei, Samsung anunció sus planes para empezar a producir módulos de PCM de 512megabits (Mbit) de tamaño.
Estos se fabricarán de forma que sean compatibles con los módulos tradicionales de memoria flash que cuentan con piezas individuales de apenas 40 nanómetros de ancho. Además, señaló la compañía, las memorias PCM tienen una estructura más simple que los formatos anteriores, por lo que debería ser fácil fabricarlas y empezar a usarlas en los teléfonos.
Las pruebas de laboratorio de Samsung sugieren que las memorias de cambio de fase de 512Mbit pueden leer y escribir datos hasta 10 veces más rápido que algunos tipos de memoria flash existentes. En general, según Samsung, la memoria de cambio de fase es unas tres veces más rápida que las memorias flash existentes.
El gigante de la electrónica afirmó que espera que finalmente la memoria PCM reemplace a la memoria flash en muchos dispositivos.
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